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        该设备以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

        上面说的有些复杂。

        简单来理解的话，就是通过这台MOCVD设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的GaN宽禁带半导体。

        这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

        顾律在国外见过这种设备。

        不过国内和国外的MOCVD系统是有些区别的。

        因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，所以国内和国外MOCVD系统的主要区别在于反应室结构。

        在国外，反应室结构大多采用‘反应’，而国内则是采用‘行星反应’。

        两者各有其优劣，说不上谁更好。

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